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Si-Si0.7Ge0.3-Si结构的电阻特性

王昱为,  黄非,  熊峰,  朱鹏飞,  祝昆

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王昱为, 黄非, 熊峰, 朱鹏飞, 祝昆. Si-Si0.7Ge0.3-Si结构的电阻特性[J]. 上海工程技术大学学报, 2016, 30(2): 160-162. doi: 10.3969/j.issn.1009-444X.2016.02.013
引用本文: 王昱为, 黄非, 熊峰, 朱鹏飞, 祝昆. Si-Si0.7Ge0.3-Si结构的电阻特性[J]. 上海工程技术大学学报, 2016, 30(2): 160-162. doi: 10.3969/j.issn.1009-444X.2016.02.013
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WANG Yuwei, HUANG Fei, XIONG Feng, ZHU Pengfei, ZHU Kun. Resistance Characteristics of Si-Si0.7Ge0.3-Si Structure[J]. Journal of Shanghai University of Engineering Science, 2016, 30(2): 160-162. doi: 10.3969/j.issn.1009-444X.2016.02.013
Citation: WANG Yuwei, HUANG Fei, XIONG Feng, ZHU Pengfei, ZHU Kun. Resistance Characteristics of Si-Si0.7Ge0.3-Si Structure[J]. Journal of Shanghai University of Engineering Science, 2016, 30(2): 160-162. doi: 10.3969/j.issn.1009-444X.2016.02.013
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Si-Si0.7Ge0.3-Si结构的电阻特性

doi: 10.3969/j.issn.1009-444X.2016.02.013

  • 上海工程技术大学机械工程学院,上海,201620

  • 上海工程技术大学基础教学学院,上海201620

  • 六盘水师范学院物理与电子科学系,六盘水553004

  • 六盘水师范学院物理与电子科学系,六盘水,553004

详细信息

  • 中图分类号: TM23

Resistance Characteristics of Si-Si0.7Ge0.3-Si Structure

    摘要
  • 摘要: Si-Si0.7Ge0.3-Si结构在激光的照射下,电阻值会随激光照射点位置的改变而改变.通过实验测量获得激光扫描Si-Si0.7Ge0.3-Si结构样品表面的二维数据分布图,并对水平方向与垂直方向进行分析,得到的电阻灵敏度最高为8.59 MΩ/mm.当激光在器件表面上的扫描线偏离X轴时,灵敏度会逐渐降低为7.72、3.98和1.50 MΩ/mm.研究表明,作为一种新型的位移传感器,Si-Si0.7Ge0.3-Si结构的电阻—位置关系曲线具有灵敏度高和线性关系好的特点.
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  • 刊出日期:  2016-06-30

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